Американски физици създадоха най-малкия в света транзистор. Електронният компонент, който лежи в основата на всички съвременни интегрални схеми, е с дължина на гейта от порядъка на един нанометър. За резултатите от изследването си, учените са публикували статия в списание Science.
Намаляването на дължината на гейта (така се нарича един от електродите в полевите транзистори - основният градивен елемент на съвременните интегрални схеми и чипове) е постигнато с използването в транзистора на молибденов сулфид. Този материал, в сравнение със силиция, има по-ниска диелектрическа проницаемост, а така управлението на напрежението в електронния компонент може да се осъществява чрез гейт с по-малки размери - в конкретния случай - нанотръбичка с диаметър от един нанометър.
Изследването на учените посочва нова възможност, чрез използването на специално подбрани материали и архитектура, да се заобиколи т.нар. закон на Мур, който поставя ограничение спрямо физическите размери на електронните компоненти. В момента, съгласно този закон, не е възможно да се създадат силициеви транзистори с дължина на гейта под пет нанометра.
В същото време обаче, учените не са предприемали опити за компановка на новия транзистор в реално работещ чип и не са се занимавали с решаването на един от най-важните проблеми при миниатюризацията на големи интегрални схеми - паразитните токове.
Към момента за върхово постижение се смятат силициевите процесори, създадени по 14-нанометров технологичен процес. Водещите производители на чипове, като Intel, Qualcomm и MediaTek, работят по създаването на електронните компоненти от следващото поколение - 10-нанометровите.
0 коментара:
Публикуване на коментар